Beiträge zur Precursorchemie von GaN-Materialien

  • Die Dissertation beschäftigt sich mit der Herstellung und Charakterisierung von molekularen Vorstufenverbindungen zur Synthese von III-V-Halbleitern. Neben der Synthese intramolekular adduktstabilisierter Amido-Diazide der Erdmetalle wurden addukstabilisierte Gruppe-III-Amide synthetisiert, die sich durch Transaminierungsreaktionen mit Ammoniak und einer anschließenden Temperaturbehandlung zu III-V-Halbleitern umwandeln. Dies wurde durch Schichtwachstum über Spin-coating-Experimente und Sol-Gel-Synthesen erprobt. Des weiteren wurden Donor-Akzeptor-Komplexe von Tris(trimethylstannyl)amin-Derivaten der Erdmetalle hergestellt, die durch thermische Zersetzungen ebenfalls III-V-Halbleiterpulver bilden.

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Metadaten
Author:Oliver Gerhard Stark
URN:urn:nbn:de:hbz:294-5102
Subtitle (German):Gruppe-III-Amid/Azide und Gruppe-III-Tris(trimethylstannyl)amin-Addukte
Referee:Roland A. FischerGND, Matthias EppleGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2003/03/18
Date of first Publication:2003/03/18
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Chemie und Biochemie
Date of final exam:2002/04/25
Creating Corporation:Fakultät für Chemie und Biochemie
GND-Keyword:Halbleiter; Schicht; Azide; Amide; Pyrolyse
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für Anorganische Chemie II, Organometallics & Materials Chemistry
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie, Kristallographie, Mineralogie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht