Ballistischer Transport und thermoelektrische Effekte in asymmetrischen Si/SiGe-Nanokreuzen

  • Ausgehend von Si/SiGe-Heterostrukturen werden in dieser Arbeit eindimensionale Systeme mittels lateraler Strukturierung durch Elektronenstrahl-Lithographie und reaktives Ionenätzen realisiert und quanten-, trägheitsballistische und thermoelektrische Effekte untersucht. Der Quantenleitwert lässt sich bei Vielfachen von \(4e^{2}\)it /h beobachten. Im Vergleich zu GaAs/AlGaAs treten bei Si/SiGe zusätzliche Strukturen in der Transportspektroskopie auf und ein maximaler Subbandabstand von 4.0 meV wird abgeschätzt. Die Strom-Spannungs-Charakteristik zeigt den auf Phononemission basierenden negativen differenziellen Leitwert und den negativen \(\textit {Bend Resistance}\). Die Oszillation der Thermospannung spiegelt die Besetzung von 1D-Subbändern mit steigender Gatespannung wider. Da das Thermospannungssignal zur elektrischen Heizleistung proportional ist, wirkt das Nanokreuz als ballistischer Gleichrichter. Der maximale Transferwiderstand von 630 \(\Omega\) wird bei \(\it T\) = 4.2 K erreicht und fällt bis 100 K auf 90 \(\Omega\) ab.

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Metadaten
Author:Gang QiaoGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-29479
Referee:Ulrich KunzeORCiDGND, Peter AwakowiczORCiDGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2010/09/24
Date of first Publication:2010/09/24
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2010/07/09
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:Nanostruktur; Quantendraht; Thermoelektrischer Effekt; Silicium; Germanium
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für Werkstoffe und Nanoelektronik
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
faculties:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht