a-Si:H, a-SiO:H und \(\mu\)c-Si:H Schichten für Siliziumdünnschichtsolarzellen

  • Die Arbeit beschreibt die Abscheidung, Charakterisierung und Optimierung von amorphen und mikrokristallinen Siliziumschichten für die Dünnschichtphotovoltaik. Das Hauptziel der Arbeit ist die Entwicklung einer Absorberschicht aus amorphem Siliziumoxid mit einer Bandlücke von 2.0 eV. Um eine Bandlücke von 2.0 eV zu erreichen, muss die Absorberschicht mit einer hohen Sauerstoffkonzentration legiert werden. Dies führt zur Verschlechterung der elektronischen Eigenschaften der a-SiO:H Absorberschicht in Hinblick auf die photovoltaische Anwendung. Mittels Simulationen mit realen Eingabeparametern erfolgt anschließend die Evaluation der optimierten a-SiO:H Absorberschicht. Wenn die Bandlücke durch eine geringere Sauerstofflegierung auf Werte kleiner als 2.0 eV eingestellt wird, leiden die elektronischen Eigenschaften der a-SiO:H Absorberschicht und damit der Solarzellkenngrößen weniger.

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Metadaten
Author:Sven Roland HolinskiGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-45186
Referee:Martin HofmannGND, Dietmar BorchertGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2016/01/12
Date of first Publication:2016/01/12
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2015/07/01
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:Silicium; Amorpher Zustand; Fotovoltaik; Solarzelle; Dünne Schicht
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
faculties:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht