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Shovon Pal

• Quantum confinement in semiconductor nanostructures is a phenomenon which leads to the quantization of conduction and valence band. Depending on the type of confinement in the heterostructures, quasi-2D/1D subbands or 0D-sublevels are formed. The spacing between these quantized bands or levels are very important parameters, which have been perfected over the years into device applications. Most of these devices form low-dimensional charge-carriers, which potentially allow optical transitions between the subbands or sublevels within the conduction and valence bands in the nanostructures. These transitions typically lie in the infrared region of the electromagnetic spectrum and can be designed according to the application in demand. Thus a strong understanding and control of such intersubband or intersublevel transitions is not only an important aspect of fundamental research, but also a necessity for device applications.
• Quanteneinschränkung in Halbleiterheterostrukturen ist ein Phänomen, das zur Quantisierung der Leitungs- und Valenzbänder führt. Abhängig von der Art der Einschränkung in den Heterostrukturen, werden quasi-2D/1D Subbänder oder 0D-Sublevel erzeugt. Die Abstände zwischen diesen quantisierten Bändern oder Levels sind wichtige Parameter, die in den letzten Jahren für Geräteanwendungen perfektioniert wurden. Die meisten dieser Geräte bilden nieder-dimensionale Ladungsträger, die potentiell die Möglichkeit für optische Übergänge zwischen den Subbändern oder Sublevels innerhalb des Leitungsbandes und des Valenzbandes erlauben. Diese Übergänge befinden sich typischerweise im Infrarot-Bereich des elektromagnetischen Spektrums und können für die gewünschte Anwendung maßgeschneidert entwickelt werden. Somit ist ein genaues Verständnis und die Kontrolle solcher Intersubband- und Intersublevelübergänge nicht nur ein wichtiger Aspekt der Grundlagenforschung, sondern auch notwendig für Anwendungen.