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Victorina Poenariu

• The present dissertation is dealing with the fabrication of a lateral in-plane p-i-n and n-i-n structures and investigation of the effect of lateral electric field on self-assembled InAs-quantum dots. The fabrication technology process involves a combinative patterning technique based on electron beam lithography, focus ion beam implantation and standard optical lithography. The control of exciton wave functions in \(In_{x}\) \(Ga_{1-x}/GaAs\) through lateral electric fields were studied by photoluminescence spectroscopy. A red shift is obtained from the single dot spectroscopy and can be explained by the quantum confined Stark effect. Also, time-resolved photoluminescence measurements have been used to disclose the strong changes in the exciton radiative lifetime behaviour as a consequence of significant lateral displacements within the dots.
• Diese Dissertation beschäftigt sich mit der Herstellung lateraler in-plane \(\textit {p-i-n}\) und \(\textit {n-i-n}\) Strukturen und der Untersuchung von selbstangeorded InAs - Quantenpunkten unter Einfluss eines elektrischen Feldes. Das technische Herstellungsverfahren bezieht eine Kombinatorische Musterungs- Technik mit ein, die auf Elektronenstrahllithographie, Fokussierte- Ionenstrahleimplantation und optischer Standardlithographie basiert. Die Steuerung von Exziton Wellenfunktionen in \(In_{x}\) \(Ga_{1-x}/GaAs\) durch seitliche elektrische Felder wurde durch Photolumineszenz-Spektroskopie untersucht. Eine Rotverschiebung ist aus der Punktspektroskopie an den Quantenpunkten beobachtet und kann durch den begrenzten Starkschen Quanten Effekt erklärt werden. Darüber hinaus ist eine Zeitaufgelöste Photolumineszenz-Messungen verwendet worden, um die starken Änderungen in dem Verhalten der Exzitonstrahlungslebensdauer als Folge der signifikant seitlichen Versetzungen innerhalb der Punkte sichtbar zu machen.