Precursor chemistry of Tantalum and Niobium nitride for MOCVD and ALD applications
- Die Dissertation beschäftigt sich mit der Abscheidung von dünnen Tantal- und Niobium- Nitridschichten. Die Schichten wurden mittels Metallorganischer Chemischer Dampfabscheidung (MOCVD) und Atomic Layer Deposition (ALD) erzeugt. Während der Arbeit wurden drei Precursorklassen untersucht: Amido/Imido-Komplexe, Amido/Imido/Hydrazido-Komplexe und Amido/Imido/Guanidinato-Komplexe. Letztere zeigten ein ideales Zersetzungsverhalten um leitfähige TaN- und NbN-Schichten zu erzeugen. Diese Filme sollen in der Halbleiterindustrie in Form von Diffusionsbarrieren und Gateelektroden Anwendung finden.
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| Author: | Arne BaunemannGND |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-17895 |
| Referee: | Roland A. FischerGND, William S. SheldrickGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Date of Publication (online): | 2006/12/20 |
| Date of first Publication: | 2006/12/20 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Chemie und Biochemie |
| Date of final exam: | 2006/12/08 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Chemie und Biochemie |
| GND-Keyword: | Mikroelektronik; Diffusionsbarriere; MOCVD-Verfahren; Nitride; Nanostruktur |
| Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für Anorganische Chemie II |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie, Kristallographie, Mineralogie |
| faculties: | Fakultät für Chemie und Biochemie |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
