Investigation of GaAs-based THz devices utilizing intersubband transitions

Quantenkaskadenlaser sind Halbleiter-basierte Strahlungsquellen im THz-Bereich mit vielen potenziellen Anwendungen. Im Rahmen dieser Arbeit wurden mehrere dieser Laser durch Molekularstrahlepitaxie von Galliumarsenid hergestellt und elektrisch sowie optisch charakterisiert. Strukturaufklärung durch Röntgenbeugung erlaubt hierbei, die Laseremission bei 3,19 THz durch numerische Simulationen exakt zu reproduzieren. Darüber hinaus wurde ein quasi-parabolischer Quantentopf durch digitales Legieren hergestellt und in einen Transistor mit hoher Elektronenbeweglichkeit eingebettet, um die Lage des Potenzialtopfes elektrisch zu beeinflussen. Numerische Simulationen und Kapazitätsmessungen demonstrieren die erfolgreiche Kontrolle der Ladungsträgerdichte im Potenzialtopf. Zeitaufgelöste Transmissionsmessungen im THz-Bereich zeigen die elektronischen Übergänge zwischen den quantisierten Energieniveaus des Quantentopfes.

Metadaten
Author:	Negar Hekmat ORCiD GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-51183
Referee:	Nathan Jukam GND, Andreas D. Wieck ORCiD GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	English
Date of Publication (online):	2017/01/15
Date of first Publication:	2017/01/15
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2016/12/19
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Halbleiter; Laser; Festkörperphysik; Molekularstrahlepitaxie; Kristallwachstum
Institutes/Facilities:	Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik, AG Terahertz Spectroscopy and Terahertz Technologies
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

RUB » Bibliotheksportal