Ballistische Gleichrichtung im nichtlinearen elektronischen Transport durch Si/SiGe-Wellenleiterkreuze

  • Mit Hilfe von Lithographieverfahren werden in der vorliegenden Arbeit modulationsdotierte Silizium/Silizium-Germanium-Heterostrukturen lateral strukturiert, um ballistischen Elektronentransport in Wellenleitern bei Temperaturen von wenigen Kelvin zu ermöglichen. Im linearen und nichtlinearen Transport durch eindimensionale Leiter werden Anomalien in der Leitwertquantisierung untersucht. Zudem werden Kenntnisse über trägheitsballistische Gleichrichter vertieft, welche sich durch eine hohe Grenzfrequenz und durch eine im Gegensatz zu Dioden fehlende Einsatzspannung auszeichnen. Darauf aufbauend werden zweistufige ballistische Gleichrichter vorgestellt, welche eine höhere Ausgangsspannung als die Summe der beiden einzelnen Gleichrichterstufen besitzen. Diese Effizienzsteigerung ist zurückzuführen auf die Überlappung zweier Elektronenwolken, wenn der Abstand zwischen den Gleichrichterstufen kleiner als die ballistische Weglänge gehalten wird.

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Metadaten
Author:Joeren Frederik von PockGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-52833
Referee:Ulrich KunzeORCiDGND, Michael HübnerGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2017/06/26
Date of first Publication:2017/06/26
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2017/02/03
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:Silicium; Germanium; Heterostruktur; Ballistischer Effekt; Gleichrichter
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für Werkstoffe und Nanoelektronik
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
faculties:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht