Ionenstrahlsynthese von halbleitenden Übergangsmetall-Siliciden und deren Charakterisierung

  • Halbleitende Übergangmetall-Silicide mit einer direkten Bandlücke sind vielversprechende Kandidaten für die Realisierung von Silicium-basierten optoelektronischen Bauelementen. Die beiden Kandidaten,das \(\beta\)-FeSi\(_{2}\) und das Ir\(_{3}\)Si\(_{5}\), wurden mittels strukturierter Hochenergie Ionenimplantationen hergestellt. Die Implantationstemperatur, die Ionenstrahlenergie, das Ausheilverfahren, die Dosis sowie Ionenstromdichte und die Strukturgröße müssen aufeinander abgestimmt werden, da sie wichtige Parameter für die Herstellung einer optimalen Schicht sind. Einige hundert Strukturen wurden unter verschiedenen Bedingungen hergestellt und mittels \(\mu\)-Raman-Spektroskopie, \(\mu\)-Channeling/RBS, REM und Photo- bzw. Elektrolumineszenz untersucht.

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Metadaten
Author:Ümit DagkaldiranGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-18794
Referee:Claus RolfsGND, Andreas D. WieckORCiDGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2007/03/13
Date of first Publication:2007/03/13
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2007/02/08
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Channeling; Rutherford Back Scattering; Raman-Spektroskopie; Silicide; Ionenimplantation
Dewey Decimal Classification:Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht