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Larissa Juschkin

• Die VUV- und EUV-Emission aus dichten Plasmen wurde im Hinblick auf die Optimierung der erreichbaren Strahldichten bzw. Strahlungsenergien einzelner Linien untersucht. Die notwendigen Plasmabedingungen zur Erzielung eines Pseudo-Planck-Strahlers, d.h. einer Strahlungsquelle, dessen Emission in einem begrenzten Spektralbereich der Linienbreite die Planckkurve erreicht, wurden bestimmt. Zur Erzeugung langlebiger quasistationärer Plasmen mit hoher Emissionsenergie wurde eine neue langsame Kapillarentladung aufgebaut. Die Untersuchungen befassten die Resonanzlinien von ArVIII bei 70 und 71 nm, von NeVIII bei 77 und 78 nm, von ArIX bei 5 nm und von KrIX bei 11,5 nm, sowie die EUV-Emission aus Kr- und Xe-Plasmen bei 7 - 15 nm. Die ausgestrahlte Energie dieser Linien betrug einige Hunderte \(\mu\)J/sr. Passende Linien für Anwendungen in der Mikrolithographie bei 11,5 und 13,5 nm wurden identifiziert und diskutiert. Die notwendigen Plasmabedingungen sind auf andere Entladungstypen übertragbar.
• The VUV and EUV emission from dense plasmas is investigated in order to optimize the attainable radiances and radiation energies of individual lines. The necessary plasma conditions are determined for the realization of a pseudo Planck radiator, i.e. a radiation source, whose emission achieves the Planck curve in the spectrally limited interval of the line width. For the production of long-lived quasi-stable plasmas with high emission energy a new slow capillary discharge was projected and assembled. The investigations dealt with the resonance lines of ArVIII at 70 and 71 nm, of NeVIII at 77 and 78 nm, of ArIX at 5 nm and of KrIX at 11.5 nm, as well as with the EUV emission from krypton and xenon plasmas at 7 - 15 nm. The radiation energy of these lines was about of some hundreds of \(\mu\)kJ/sr. Suitable lines for applications in the microlithography at 11.5 and 13.5 nm are identified and discussed. The necessary plasma conditions are also applicable to other discharge types.