Initiale Nukleation bei der Deposition von Eisen auf Silizium und InAs(001)

Es wurde das Wachstum von Eisen mittels MBE und CVD auf den stabilen Siliziumflächen (113),(5512),(114) und (115) bei 500-600°C studiert. Die Untersuchung mittels STM und LEED zeigt anisotrope, in [1-10]-Richtung gestreckte Inseln. Durch die Zugabe von Silizium (Disilan) während des Wachstums kann diese Anisotropie verringert werden, so dass das Substrat fast vollständig durch das Silizid bedeckt wird. Des weiteren wurde die Nukleation von Eisen auf InAs(001). Um die magnetischen Eigenschaften des Eisens zu erhalten, wurden alle Versuche bei RT durchgeführt. Zu Beginn wächst das Eisen in kleinen Clustern zwischen den Reihen der InAs(001)-Oberflächenrekonstruktion, und bildet im weiteren Verlauf langezogene Eisenketten in [110] aus. Diese Ketten werden anschließend durch isotrope Inseln überdeckt. Durch FMR und MOKE konnte gezeigt werden, dass die Eisenschicht eine uniaxiale Anistropie besitzt, welche auf die Anisotropie der Submonolage zurückgeführt werden kann.

Metadaten
Author:	Martin Kneppe GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-8843
Referee:	Ulrich Köhler GND, Josef Pelzl GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2003/10/17
Date of first Publication:	2003/10/17
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2003/06/16
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Rastertunnelmikroskopie; Molekularstrahlepitaxie; CVD-Verfahren; Kristallwachstum; Ultrahochvakuum
Institutes/Facilities:	Institut für Experimentalphysik IV
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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