MOCVD und Charakterisierung von GaN-Dünnschichten und -Nanostrukturen unter Verwendung eines Single-Molecule-Precursors
- In dieser Arbeit wurde detailliert das Potential eines azidischen Single-Molecule-Precursors als mögliche Alternative zum kommerziellen Standardprozess zur Herstellung dünner GaN-Halbleiterdünnschichten evaluiert. Neben den mit maximalen Wachstumsraten von 4,5 µm/h durchgeführten Abscheidungen epitaktisch auf c-plane \(\alpha\)-Al\(_{2}\)O\(_{3}\) Substraten gewachsener Dünnschichten, die sowohl frei von Verunreinigungen waren als auch die für die hexagonale GaN-Modifikation charakteristische Bandkantenlumineszenz von 3,5 eV aufwiesen, konnte im Rahmen systematischer Untersuchungen zudem ein Prozessfenster gefunden werden, in dem gezielt die Abscheidung geordneter und ungeordneter Nanostrukturen möglich war. Zusätzlich wurden unter verschiedenen Prozessbedingungen aus den Wachstumsraten bei unterschiedlichen Substrattemperaturen die Aktivierungsenergien für den thermischen Zerfall des Precursors abgeschätzt und diskutiert.
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| Author: | Andreas Wohlfart |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-6609 |
| Referee: | Roland A. FischerGND, Andreas D. WieckORCiDGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2003/03/18 |
| Date of first Publication: | 2003/03/18 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Chemie und Biochemie |
| Date of final exam: | 2002/12/17 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Chemie und Biochemie |
| GND-Keyword: | Galliumnitrid; Röntgenbeugung; CVD-Verfahren; Nanodraht; Kristalliner Festkörper |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie, Kristallographie, Mineralogie |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
