Ein analytisches Modell zur Simulation von Silizium-Germanium Heterojunction-Bipolartransistoren in integrierten Schaltungen

  • In dieser Dissertation werden analytische und physikalisch fundierte Beziehungenzur Modellierung des Kollektorstroms von SiGe-HBTs hergeleitet, die auf einervereinfachten Form der "Generalized Integral Charge Control Relation" (GICCR) beruhen. Besonderer Wert wird bei der Modellentwicklung auf die korrekte Modellierung des Hochstromverhaltens von SiGe-HBTs gelegt, das sich wesentlich von dem traditioneller Bipolartransistoren unterscheidet. Das komplette Kompaktmodell SIGEM (Silizium Germanium Modell), das zusätzlich zu den in dieser Arbeit entwickelten Beziehungen eine Beschreibung der Transitzeit und des externen Transistorgebietes umfaßt, wurde in einem Schaltungssimulator implementiert und anhand von Messungen und numerischen Bauelementesimulationen verifiziert. Zur Bestimmung der Modellparameter wird ein Verfahren vorgestellt, das einfach und zuverlässig physikalisch sinnvolle Parameterwerte liefert.

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Metadaten
Author:Martin FriedrichGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-6355
Referee:Hans-Martin ReinGND, Ulrich KunzeORCiDGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2003/03/18
Date of first Publication:2003/03/18
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2001/11/23
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:Heterobipolartransistor; Bauelement / Simulation; Integrierte Schaltung; Silicium; Germanium
Institutes/Facilities:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik, Arbeitsgruppe Halbleiterbauelemente
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften, Maschinenbau
faculties:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht