Gas-phase synthesis of bismuth and antimony chalcogenide nanostructures

  • In dieser Arbeit wurde die Präparation von Antimon- und Bismutchalkogenid Dünnfilmen und Nanostrukturen untersucht. Dafür wurde das Verfahren der Atomlagenabscheidung (ALD - englische Abkürzung für Atomic Layer Deposition) für Dünnfilmen-Abscheidung bei niedrigen Temperaturen bzw. gepulstes Vapor-Liquid-Solid (pulsed-VLS) Wachstum für Nanostäbe bei höheren Temperaturen verwendet. Durch die Kombination von VLS gewachsenen Nanostäben mit den ALD Prozessen konnte homo- sowie hetero-epitaktisches Wachstum auf den Sb2S3 und Sb2Se3 Nanostäben durch Atomlagenepitaxie (ALE) bei niedrigen Temperaturen gezeigt werden. Der gut kontrollierbare ALE Prozess ermöglichte die Synthese mehrerer neuartiger Heterostrukturen, u.a. Kern-Hülle (core-shell) Strukturen, Stäbe mit rechteckigem Querschnitt oder axiales Wachstum konnten damit erreicht werden.

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Metadaten
Author:Ren Bin Yang
URN:urn:nbn:de:hbz:294-29146
Referee:Ulrich KunzeORCiDGND, Kornelius NielschGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:English
Date of Publication (online):2010/09/23
Date of first Publication:2010/09/23
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2010/06/25
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:CVD-Verfahren; Dünne Schicht; Halbleiter; Atomlagenabscheidung; Nanodraht
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Ingenieurwissenschaften, Maschinenbau
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht