Photothermische Mikroskopie an Ionenstrahl-strukturierten Halbleitern und Halbleiterbauelementen

In der vorliegenden Arbeit wurde die photothermische Mikroskopie, basierend auf der photo-thermisch modulierten optischen Reflexion (PMOR), zur Untersuchung von Halbleitern bzw. deren Modifikation mittels Ionenstrahlen eingesetzt, und die experimentellen Techniken wurden insbesondere für die Analyse von Halbleiterbauelementen weiterentwickelt. Durch optische Anregung gekoppelter Oszillationen von Temperatur und Ladungsträgerdichte in der Probe konnten thermische und elektronische Materialeigenschaften sowie deren Beeinflussung durch Ionenstrahlimplantation bestimmt werden. Darüber hinaus wurden Doppelmodulationstechniken entwickelt, bei denen zusätzlich zur optischen Anregung eine elektrische Heizung der Bauelemente vorgenommen wurde. Dies ermöglichte eine detailliertere Analyse der implantierten Strukturen, wenn die PMOR bei rein optischer Anregung und Detektion auf der Anregungsfrequenz keine ausreichende Information mehr über die dünnen Schichten von Halbleiterbauelementen geben kann.

Metadaten
Author:	Dirk Dietzel GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-3452
Referee:	Josef Pelzl GND, Claus Rolfs GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2003/03/18
Date of first Publication:	2003/03/18
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2001/07/13
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Wärmewelle; Plasmawelle; Silicium; Ionenimplantation; Ionenstrahl
Institutes/Facilities:	Institut für Experimentalphysik III
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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