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Fang-Yuh Lo

• The aim of this work is to study semiconductor spintronics. Cleaved-edge-overgrowth (CEO) of iron on GaAs-heterostructures are carried out with molecular beam epitaxy (MBE), and the spin-valve structures are fabricated by focused ion beam (FIB) milling. These structures are employed to study the electrical spin injection from metal into semiconductors. The magnetoresistances (MRs) measured at 4.2 K from the spin valves are not consistent. Implantations of rare-earth (RE) elements into GaN are used to fabricate diluted magnetic semiconductors (DMSs) and then, the magnetotransport is studied on Gd-implanted GaN-heterostructures. The measurements at T = 4.2 K reveal anomalous Hall effect and anisotropic magnetoresistances (AMR).
• Diese Arbeit beschäftigt sich mit Halbleiterspintronik. Spaltflächen von GaAs-Heterrostrukturen werden per Molekularstrahlepitaxie (MBE) mit Eisen überwachsen und darin werden Spinventilstrukturen mittels FIB-Sputtern hergestellt. An diesen Strukturen wird die elektrische Spininjektion vom Metall in den Halbleiter untersucht. Die Magnetowiderstände (MRs) der Spinventilbei 4,2 K sind nicht konsistent. Elemente der selten Erden werden in GaN implantiert um verdünnt magnetische Halbleiter (DMSs) herzustellen und dann wird der Magnetotransport in Gd-implantierten GaN-Heterostrukturen untersucht. Die Messung bei 4,2 K zeigen anormale Halleffekt und anisotropen Magnetowiderstand (AMR).