Elektrische Spininjektion in InAs-Quantenpunkte

In der vorliegenden Arbeit wird eine elektrische Spininjektion in InAs-Quantenpunkte bei Raumtemperatur und ohne externe Magnetfelder demonstriert. Hierzu wird über eine MgO-Tunnelbarriere ein spinpolarisierter Strom aus Fe/Tb-Multilagenstrukturen und Fe-Tb-Legierungen in eine Halbleiter LED-Struktur injiziert. Der Lichtpolarisationsgrad (max. 2,7%) des Grundzustandes dient als direkter Nachweis für die Effizienz der Spininjektion. Zusätzlich werden SQUID-Untersuchungen der verschiedenen magnetischen Injektorschichten diskutiert. Untersuchungen des Polarisationsgrades angeregter Zustände der InAs-Quantenpunkte werden mit den Vorhersagen eines einfachen Modells verglichen. Es wird ein Modell zur Bestimmung des Exzitonen g*-Faktors aus einem Ensemble von QDs entwickelt und der g*-Faktor einer QD-Ensemble-LED zu g* = -0,09 bestimmt. Die Magnetfeldabhängigkeit der Lichtintensität von sog. Cleaved-Edge-Overgrowth-LEDs wird mit Hilfe von Oberflächenrekombination und dem Hall-Effekt erklärt.

Metadaten
Author:	Arne Ludwig ORCiD GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-38133
Referee:	Andreas D. Wieck ORCiD GND, Richard Warburton ORCiD GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2013/07/18
Date of first Publication:	2013/07/18
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2011/12/19
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Ferromagnetikum; Metall; Halbleiter; Galliumarsenid; Spinpolarisation
Institutes/Facilities:	Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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