Optische und elektronische Untersuchung an mit Seltenen Erden dotierten InAs-Quantenpunkten

Diese Dissertation untersucht den Einfluss der Dotierung mit Seltenen Erden auf die optischen und elektronischen Eigenschaften von Indiumarsenid-Quantenpunkten. Die implantierten Ionen sollen über magnetische Wechselwirkung mit den eingeschlossenen Ladungsträgern weitere spintronische Anwendungen von InAs-Quantenpunkten ermöglichen. Die Untersuchung der elektronischen Eigenschaften der dotierten Quantenpunkte mittels Kapazitäts-Spannungs-Spektroskopie wurde, trotz Gegenmaßnahmen - während der notwendigen ex-situ Prozessierung - durch eine Akkumulation von Akzeptoren an der Probenoberfläche verhindert. Photolumineszenzuntersuchungen zeigen, dass es aufgrund der eingebrachten Ionen zu Gitterverspannungen und dadurch zur Ausbildung eines Sub-Ensembles galliumreicher Quantenpunkten während des thermischen Ausheilens kommt. Diese Quantenpunkt weisen folglich in unmittelbarer Umgebung eines der eingebrachten Fremdionen auf und eignen sich somit potentiell für spintronische Anwendungen.

Metadaten
Author:	Markus Greff GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-43226
Referee:	Andreas D. Wieck ORCiD GND, Dirk Reuter ORCiD GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2015/03/03
Date of first Publication:	2015/03/03
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2014/11/06
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Quantenpunkt; Halbleiter; Photolumineszenzspektroskopie; Seltenerdmetall; Ionenimplantation
Institutes/Facilities:	Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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