Wachstum von InAs- und GaAs-Nanodrähten mittels Molekularstrahlepitaxie initiiert durch fokussierte Ionenstrahlimplantation

  • In dieser Arbeit wird die Möglichkeit die Oberfläche von Halbleitersubstraten durch fokussierte Ionenstrahl (FIB)-Lithographie für ein selbstorganisiertes Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Wachstum von Halbleiternanodrähten (NWs) an exakt definierten Orten modifiziert. Das maskenlose, direkte dreidimensionale Modifizieren von Oberflächen ohne Fotolack oder andere organische Chemikalien macht die FIB-Lithographie zu einer leistungsstarken Alternative zu herkömmlichen Lithographietechniken. Durch das implantieren von Au-Ionen in beliebigen Mustern auf GaAs(111)B Substraten wird das angeordnete Wachstum von GaAs und InAs-NWs in MBE über den "Vapor-Liquid-Solid"-Mechanismus initiiert. Angeordnetes katalysatorfreies NW-Wachstum ist auf Si(111) Substraten möglich, die mit einer dünnen Siliziumoxidschicht bedeckt sind, indem Si-Ionen implantiert werden. Des Weiteren wird die Dotierung von Nanodrähten, die durch dotierte Metallkatalysatoren induziert wird, untersucht.

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Metadaten
Author:Rüdiger SchottORCiDGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-56064
Referee:Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2018/02/26
Date of first Publication:2018/02/26
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:2018/01/25
Creating Corporation:Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:Nanodraht; Molekularstrahlepitaxie; Ionenstrahl; Halbleiter; Epitaxie
Institutes/Facilities:Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht