Wachstum von InAs- und GaAs-Nanodrähten mittels Molekularstrahlepitaxie initiiert durch fokussierte Ionenstrahlimplantation
- In dieser Arbeit wird die Möglichkeit die Oberfläche von Halbleitersubstraten durch fokussierte Ionenstrahl (FIB)-Lithographie für ein selbstorganisiertes Molekularstrahlepitaxie (MBE)-Wachstum von Halbleiternanodrähten (NWs) an exakt definierten Orten modifiziert. Das maskenlose, direkte dreidimensionale Modifizieren von Oberflächen ohne Fotolack oder andere organische Chemikalien macht die FIB-Lithographie zu einer leistungsstarken Alternative zu herkömmlichen Lithographietechniken. Durch das implantieren von Au-Ionen in beliebigen Mustern auf GaAs(111)B Substraten wird das angeordnete Wachstum von GaAs und InAs-NWs in MBE über den "Vapor-Liquid-Solid"-Mechanismus initiiert. Angeordnetes katalysatorfreies NW-Wachstum ist auf Si(111) Substraten möglich, die mit einer dünnen Siliziumoxidschicht bedeckt sind, indem Si-Ionen implantiert werden. Des Weiteren wird die Dotierung von Nanodrähten, die durch dotierte Metallkatalysatoren induziert wird, untersucht.
Author: | Rüdiger SchottORCiDGND |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:294-56064 |
Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2018/02/26 |
Date of first Publication: | 2018/02/26 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2018/01/25 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Nanodraht; Molekularstrahlepitaxie; Ionenstrahl; Halbleiter; Epitaxie |
Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik |
Dewey Decimal Classification: | Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik |
Licence (German): | Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |