Atomic layer deposition of ZnO und \(Ga_{2}O_{3}\) thin films as transparent semiconducting oxides
- Das Internet der Dinge (IdD) beschreibt die Vision einer globalen Infrastruktur unter Vernetzung physischer und virtueller Gegenstände und deren Zusammenarbeit mithilfe von Kommunikations- und Informationstechniken. Transparente halbleitende Oxide (TSOs) sind Schlüsselkomponenten in den elektronischen Geräten, auf denen das IdD basiert. Die vorliegende Dissertation beschreibt die Entwicklung metallorganischer Komplexe für die Herstellung von TSOs. Das Weiteren wurde demonstriert, dass schrittweise Erforschung und Weiterentwicklung der Präkursorchemie und der Prozesse essentiell sind, um die Herausforderungen im Zusammenhang mit der Atomlagenabscheidung (ALD) und der chemischen Lösungsabscheidung (CSD) zur Erzeugung von Galliumoxid und Zinkoxid zu bewältigen.
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| Author: | Richard O'DonoghueGND |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-56606 |
| Subtitle (English): | influence of precursors on the film growth and characteristics |
| Referee: | Anjana DeviORCiDGND, Axel RosenhahnORCiDGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | English |
| Date of Publication (online): | 2018/04/10 |
| Date of first Publication: | 2018/04/10 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Chemie und Biochemie |
| Date of final exam: | 2017/12/14 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Chemie und Biochemie |
| GND-Keyword: | Internet der Dinge; Präkursor; Synthese; Atomlagenabscheidung; Dünne Schicht |
| Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für Anorganische Chemie II, Inorganic Materials Chemistry |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Chemie, Kristallographie, Mineralogie |
| faculties: | Fakultät für Chemie und Biochemie |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
