Modellierung und Simulation memristiver Bauelemente

  • Die Entwicklung bestehender und neuer memristiver Bauelemente setzt ein genaues Verständnis des physikalischen Verhaltens dieser voraus. Im Rahmen dieser Arbeit wurden Simulationsmodelle für unterschiedliche memristive Bauelemente entwickelt, die maßgeblich zum Verständnis des Verhaltens dieser Bauelemente beitragen können. So wurden im Rahmen dieser Arbeit digital schaltende Ag/TiO\(_{x}\)/Pt-ECM-Zellen und TiN/Ti/HfO\(_{2}\)/TiN-VCM-Zellen sowie analog schaltenden Au/NbO\(_{x}\)/Al\(_{2}\)O\(_{3}\)/Al/Nb-Doppelbarrierenbauelemente untersucht. Die Simulationsergebnisse wurden durchgehend mit experimentellen Ergebnissen verglichen. Ausgehend von den gewonnenen Erkenntnissen wurde auf der einen Seite ein auf Legierungsclustern basierendes, analog schaltendes, memristives Bauelement entwickelt. Auf der anderen Seite wurde ein konzentriertes Modell des Doppelbarrierenbauelements entwickelt. Dieses Modell ist 10\(^{5}\) mal schneller als das Modell mit verteilten Parametern.

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Metadaten
Author:Sven DirkmannGND
URN:urn:nbn:de:hbz:294-58580
Referee:Thomas MussenbrockORCiDGND, Martin HofmannGND, Franz FaupelGND
Document Type:Doctoral Thesis
Language:German
Date of Publication (online):2018/07/05
Date of first Publication:2018/07/05
Publishing Institution:Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Date of final exam:2018/05/14
Creating Corporation:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
GND-Keyword:Filament; Monte-Carlo-Simulation; Resistives Schalten; Informationsspeicher; Störstelle
Dewey Decimal Classification:Technik, Medizin, angewandte Wissenschaften / Elektrotechnik, Elektronik
faculties:Fakultät für Elektrotechnik und Informationstechnik
Licence (German):License LogoKeine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht