Randkanalbeeinflussung im Quanten Hall Regime
- Mit Hilfe der fokussierten Ionenstrahlanlage (FIB) wurden laterale Gates auf GaAs/Al(x)Ga(1-x)As-Heterostrukturen implantiert und systematisch die Längswiderstandsbeeinflussung als Funktion der Gatespannung untersucht. Im Bereich des fraktionellen Quanten Hall Effektes wurde eine Umkehrung des Gatespannungsverhaltens beobachtet. Der geometrische Einfluss der Kanalbreitenänderung durch das implantierte Gate konnte durch speziell geätzte Proben bestimmt werden. Oberflächenätzversuche haben darüber hinaus gezeigt, dass die Oberflächenoxide einen nicht zu vernachlässigenden Einfluss auf die Längswiderstandswerte beziehungsweise das Streu-, Kopplungsverhalten der Randkanäle haben.
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| Author: | Sabine LassenGND |
|---|---|
| URN: | urn:nbn:de:hbz:294-9923 |
| Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Bodo HuckesteinGND |
| Document Type: | Doctoral Thesis |
| Language: | German |
| Date of Publication (online): | 2004/02/16 |
| Date of first Publication: | 2004/02/16 |
| Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
| Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
| Date of final exam: | 2004/02/04 |
| Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
| GND-Keyword: | Streuung; Längswiderstand; Ionenimplantation; Fraktionierter Quanten-Hall-Effekt; Gate (Elektronik) |
| Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik |
| Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
| faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
| Licence (German): |  Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |
