Charakterisierung und Präparation von GaN und Herstellung von In-Plane-Gate Transistoren in Al\(_{x}\)Ga\(_{1-x}\)N/GaN Heterostrukturen

Gegenstand der Arbeit sind GaN-Volumenmaterial und Al\(_{x}\)Ga\(_{1-x}\)N/GaN HEMTs (\(\textit {high electron mobility transistor}\)), welche ein zweidimensionales Elektronengas (2DEG) besitzen. Die Materialien wurden durch elektrische Messungen, insbesondere Hall-Messungen, mit Fotolumineszenz und Fotoleitfähigkeit charakterisiert. Mit Hilfe von lichtunterstütztem elektrochemischen Ätzen wurde die Strukturierbarkeit von GaN untersucht. Die Herstellung von Mesen erfolgte mit einem einfachen Plasmaätzverfahren in einer herkömmlichen Vakuumanlage. Auf den Al\(_{x}\)Ga\(_{1-x}\)N/GaN HEMTs wurde eine Titan/Aluminium Kontaktierung optimiert. Mittels fokussierter Ionenstrahlimplantation (FIB) von Ga und Dy konnte eine lokale Isolation des 2DEG erreicht werden. Durch die Implantation isolierender Linien und unter Ausnutzung eines lateraler Feldeffekts konnten In-Plane-Gate Transistoren (IPG) realisiert werden, welche bei 4.2 K charakterisiert wurden.

Metadaten
Author:	André Ebbers GND
URN:	urn:nbn:de:hbz:294-8829
Referee:	Andreas D. Wieck ORCiD GND, Roland A. Fischer GND
Document Type:	Doctoral Thesis
Language:	German
Date of Publication (online):	2003/10/16
Date of first Publication:	2003/10/16
Publishing Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek
Granting Institution:	Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie
Date of final exam:	2003/07/21
Creating Corporation:	Fakultät für Physik und Astronomie
GND-Keyword:	Galliumnitrid; HEMT; Ionenstrahl; IPG-FET; Photolumineszenz
Institutes/Facilities:	Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik
Dewey Decimal Classification:	Naturwissenschaften und Mathematik / Physik
faculties:	Fakultät für Physik und Astronomie
Licence (German):	Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht

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