Herstellung von lateral strukturierten zweidimensionalen Elektronengasen durch Überwachsen von implantationsdotiertem \(Al_{x}Ga_{1-x}As\)
- In dieser Arbeit werden durch Kombination von Molekularstrahlepitaxie (MBE) und fokussierter Ionenstrahl (FIB) Implantation lateral strukturierte zweidimensionale Elektronengase (2DEGs) in einer \(Al_{x}Ga_{1-x}As\)/GaAs-Heterostruktur erzeugt. Dazu wird das MBE-Wachstum der Heterostruktur unterbrochen, um eine lateral ortsaufgelöste FIB Implantationsdotierung durchzuführen. Mit dieser Methode konnten flächige 2DEGs mit hohen Elektronenbeweglichkeiten bis zu \(1,6x10^{6}°cm^{2}/Vs\) hergestellt werden. Weiterhin wurden verschiedene ortsaufgelöste Strukturen allein durch Vorgabe des Implantationsmusters erzeugt, sodass auf ein Mesaätzen verzichtet werden konnte. Die erreichbare laterale Auflösung der 2DEGs beträgt mindestens 350°nm, wie die durchgeführten Untersuchungen gezeigt haben. Dies ist hinreichend, um an direkt implantierten dünnen elektronischen Kanälen eine magnetische Depopulation der eindimensionalen Subbänder zu beobachten.
Author: | Christof RiedeselGND |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:294-12525 |
Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2005/03/04 |
Date of first Publication: | 2005/03/04 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2004/07/05 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Molekularstrukturepitaxie; Galliumarsenid; Heterostruktur; Ionenstrahllitographie; Elektronengas / Dimension 2 |
Institutes/Facilities: | Institut für Experimentalphysik VI, Lehrstuhl für Angewandte Festkörperphysik |
Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
Licence (German): | Keine Creative Commons Lizenz - es gelten der Veröffentlichungsvertrag und das deutsche Urheberrecht |