Optische Untersuchung ganzer 3 Zoll Wafer zur Optimierung von III-V Halbleiter-Quantenpunkten hergestellt mittels Molekularstrahlepitaxie
- Mittels der Methode der gerasterten Photolumineszenzspektroskopie wurden an Halbleiter-Heterostrukturen verschiedene Einflussfaktoren durch Inhomogenitäten beim Wachstum mittels Molekularstrahlepitaxie untersucht. Durch die Vermessung von Quantentopfschichten, welche als Gradient aufgewachsen wurden, konnten die Abstrahlprofile der Effusionszellen bestimmt und für die Simulation des Schichtwachstums verwendet werden. Außerdem konnte durch die Untersuchung von zyklisch aufgewachsenen Quantenpunkt-Gradientenschichten eine Methodik zur Modellierung der lokalen Quantenpunktmorphologie und -dichte beschrieben werden. Es wurden verschiedene Einflussfaktoren auf das Wachstum von Quantenpunkten mit verspannungsreduzierenden Schichten untersucht. Durch Anwendung des zyklischen Gradientenwachstums konnte hierbei eine weitere Verschiebung zu längeren Wellenlängen erreicht werden.
Author: | Marcel SchmidtORCiDGND |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:294-92515 |
DOI: | https://doi.org/10.13154/294-9251 |
Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2022/08/25 |
Date of first Publication: | 2022/08/25 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2022/07/13 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Quantenpunkt; Quantenwell; Molekularstrahlepitaxie; Photolumineszenzspektroskopie; Halbleiter |
Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik |
Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
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