Optimierung des Wachstums und der Charakterisierung mittels Molekularstrahlepitaxie hergestellter lokal tropfengeätzter GaAs-Quantenpunkte
- In der Dissertation werden neue Techniken für das Wachstum und die Charakterisierung von lokal tropfengeätzten (LDE) GaAs Quantenpunkten (QDs) entwickelt und untersucht. Zunächst wurden die Auswirkungen von dielektrischen Schichten auf das Photolumineszenzspektrum (PL) von LDE-QDs untersucht und gezeigt, wie diese mittels Cleaved-Edge Messungen verringert werden können. Danach wurde eine anomale Intensitätssteigerung bei temperaturabhängiger PL-Spektroskopie festgestellt und für die spektrale Zuordnung von bimodalen QD-Moden genutzt. Mittels Gradientendeposition des Ätzmaterials konnte eine scharfe Übergangsfront der QDs geschaffen werden, mit deren Position sich die kritische Ätzmaterialmenge exakt bestimmen lässt. Mittels Gradientendeposition des Füllmaterials wurde eine starke Modulation der Emissionswellenlänge auf einem Wafer erreicht (795 nm bis 731 nm). Abschließend konnten mittels Anpassung der Rotationsperiode an die Depositionszeit global sehr homogene QDs hergestellt werden.
Author: | Hans-Georg BabinGND |
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URN: | urn:nbn:de:hbz:294-103957 |
DOI: | https://doi.org/10.13154/294-10395 |
Referee: | Andreas D. WieckORCiDGND, Ulrich KöhlerGND |
Document Type: | Doctoral Thesis |
Language: | German |
Date of Publication (online): | 2023/10/26 |
Date of first Publication: | 2023/10/26 |
Publishing Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Universitätsbibliothek |
Granting Institution: | Ruhr-Universität Bochum, Fakultät für Physik und Astronomie |
Date of final exam: | 2023/08/10 |
Creating Corporation: | Fakultät für Physik und Astronomie |
GND-Keyword: | Molekularstrahlepitaxie; Quantenpunkt; Photolumineszenz; Galliumarsenid-Bauelement; Wafer |
Institutes/Facilities: | Lehrstuhl für angewandte Festkörperphysik |
Dewey Decimal Classification: | Naturwissenschaften und Mathematik / Physik |
faculties: | Fakultät für Physik und Astronomie |
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